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石英玻璃是二氧化硅单一成分的非晶态材料，其微观结构是一种由二氧化硅四面结构体结构单元组成的单纯网络，由于Si-O化学键能很大，结构很紧密，所以石英玻璃具有独特的性能，尤其透明石英玻璃的光学性能非常优异，在紫外到红外辐射的连续波长范围都有优良的透射比。石英玻璃采用高纯度的硅砂作为原料，制作的传统方法是熔融-淬灭方法（加热材料到熔化温度，然后快速冷却到玻璃的固态相）；制作高纯度和紫外透射比的透明玻璃需硅的汽化、氧化成二氧化硅并加热溶解等过程。石英玻璃的形成是由于其熔体高温黏度很高引起的结果。用于制作半导体、电光源器、半导通信装置、激光器，光学仪器，实验室仪器、电学设备、医疗设备和耐高温耐腐蚀的化学仪器、化工、电子、冶金、建材以及国防等工业，应用十分广泛。高纯石英玻璃可制光导纤维。随着半导体技术的发展，石英玻璃被广泛的用于半导体生产的各项工序中。比如，直拉法把多晶转化成单晶硅；清洗时用的清洗槽；扩散时用的扩散管、刻槽舟；离子注入时用的钟罩等等。

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熔融石英和熔凝石英的纯度非常高，合成石英的金属含量小于1ppm。熔凝石英杂质接近20ppm，主要污染物组成AL2O3，少部分碱金属，Fe2O3 TiO2 mGo ZrO2金属杂质主要来自于天然石英，非常谨慎的控制加工过程，可以*大的降低杂质含量，从200ppm 到 20ppm铝是*多的杂质，取代硅原子，在石英玻璃里存在。在高温条件下，他具有很低的活性，导致在任何生产阶段都不可能去除。除了有金属杂质，熔融石英和熔凝石英也包含一些水分羟基，羟基进入石英的网格中会降低石英的粘性，因此价格低石英的耐温点。其他的物理特性也会受到影响，如光的透过率，红外波段形成吸收带每一种工艺的都有其典型的羟基含量电熔羟基值*低1-30ppm 因为在真空条件下榕湖或者在负气压条件下熔化。退火时，湿度也可以影响羟基含量气炼石英含有大量的羟基，因为气炼石英使用氢氧焰熔化合成石英是通过火焰水解化学物质羟基含量大于1000ppm降低合成石英的羟基可以通过高温氯化处理。

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中国建筑材料研究总院教授级高工石新勇、陈璐、王睿、吴洁、孙云蓉等专家撰写的《我国工业玻璃与特种玻璃标准体系现状分析及展望》文章指出：我国石英玻璃标准现状，该领域共有29项标准，产品标准20项(国家标准1项)，方法标准9项(国家标准5项)，另有4项新产品标准列入2008年行业标准制订计划。2008年是石英玻璃标准复审的高峰期，有12项标准得到修订。随着我国经济的快速发展，一些玻璃新品种、新技术已经形成和正在进行产业化，资源再生利用、节约能源、保护环境方面的产品日新月异，我国已开始对低温喷涂玻璃、无铅封接玻璃、防微波辐射玻璃、电磁屏蔽玻璃等产品进行科研研究和应用推广，计划根据进展情况，尽快将成熟的产品纳入标准。新产品的纳标，能够优化我国工业玻璃与特种玻璃品种结构。石英玻璃器件有三大类：第一类是石英玻璃仪器，有分馏提纯塔、纯水蒸馏塔、半导体工业用扩散管、试剂提纯设备、蒸发器等;第二类是石英玻璃器皿容器。品种和规格有几百种，用途很广，从化验室到半导体集成电路生产都要大量使用。第三类是石英玻璃型材，有板、片、法兰、棒、棍、杆等，主要用于大型芯片加工的单片机石英材料、光刻基片、光电显示器板、光纤拉丝用支撑杆等。石英玻璃器件产品占石英玻璃工业总产值的1/3以上。近年来石英玻璃行业在生产工艺技术装备，质量都有极大的提高。在石英玻璃器件加工方面有突出进步，在发展太阳能电池用石英器件方面有突破性进展，受到国内生产太阳能电池的大型企业、公司等先进企业确认，生产的石英器件完全满足要求，产品质量已达到国际先进水平。从相关产业的发展来看，我国石英玻璃仍将保持年平均15％～20％的增长速度。信息产业用石英玻璃的增长速度仍大于电光源用石英玻璃。

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1 、石英管软化的软化点为1270度，在1200度使用时不要超过3小时。2 、本管式炉一般情况下不建议客户通氢气，除通非氢气含量在*限爆炸浓度以外，如果客户需要用管式炉通浓度在爆炸浓度以外的氢气，一定要做好安*全措施，通气体时炉管两端不要站人，如果通氢气请采用不锈钢管，由于不锈钢的热传导系数比石英大，因此不锈钢两端需要水冷，否则O型圈温度过高无法密封， 3、 保持炉管内清洁卫生，炉管内不能残留与SiO2反应的物质，烧物料时，为了使炉管的使用寿命更长，不要直接把物料放在炉管上，用舟型坩埚盛着（如下图所示）。4 、加热时炉管内请务必放陶瓷炉塞，否则炉管两端温度较高，法兰里的O型圈无法承受较高的温度，使得气密性不好，放炉塞与炉子的两端有利于形成均衡的温场。 5 、加热时炉管内请务必放氧化铝炉塞，一边放2个，共4个，两边炉塞zui里端距离可以在450mm左右（因为HTL1200对开式管式炉的加热段长度为400mm），如果不放炉塞，炉管两端温度较高，法兰里的O型圈无法承受较高的温度，使得气密性不好，炉管两端放上炉塞有利于形成均衡的温场。6 、石英管的耐温度与其纯度有关系，纯度越高，耐温就越高。

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多晶硅和石英玻璃的联合制备法的热能是被充分利用的，其生产过程没有反复升降温的现象，因此可以节能，而且节能的数字是相当可观的。采用传统的单项生产法生产多晶硅，还原料从鼓泡器里出来后被送进还原炉。在炉内还原料被加热到1150～1250℃，发生了氢还原反应，生成多晶硅。采用这种生产法，进入还原炉的还原料只有少数(一般认为10％～20％)参加反应，生成了多晶硅，绝大多数被当作尾气排放了。初，这些尾气被当成废气放掉，造成极大的浪费。为避免浪费，人们把尾气中的氢气和四氯化硅回收，经净化提纯后再利用。这样一来，出来的高温料，进入由冷冻分离器和氢气回收组成的回收系统回收。在回收系统里，还原料被冷冻降温至四氯化硅的沸点(57．6。C)之下，一般认为应在40～38℃为好。如按还原料在还原炉里的低限温度1150℃，降温后的上限温度40。C计算，也要降温1100℃。问题是，回收后4()℃的常温还原料要重新被送入鼓泡器里，然后通进还原炉，再次被加热到11501250。C的高温。从上述工艺中可以看出，进入还原炉被加热的大部分还原料(占进炉料9()％)没有被利用就被送出降温，而且降温后又被重新送入还原炉成为参加新一轮反应的还原料。很明显，这是一种浪费，没有参加反应的还原料按理说应该不加热。可问题是，在还原炉里，没有参加反应的还原料与参加反应的还原料是混在一起的，根本无法分开，如果没有参加反应的还原料不加热，那么，参加反应的还原料也无法加热。我们知道，参加反应的还原料温度低是无法进行化学反应的，也就无法生产出多晶硅。所以，如果采用传统的单项生产法生产多晶硅的话，上述浪费是不可避免的。

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多晶硅是电子工业的基础材料。由于采用传统的单项生产法生产多晶硅，需要付出资源和环境的极大代价。过大的代价制约了多晶硅的生产发展。目前，由于多晶硅短缺，迫使一些电子工业厂家减产，甚至停业。很显然，多晶硅已经成为当前电子工业发展的瓶颈，阻碍了电子工业的发展。采用多晶硅和石英玻璃的联合制备法生产多晶硅，代价会减少，从而促进多晶硅的发展，电子工业材料(多晶硅)的瓶颈问题也就因此得以解决。