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近年来我国的氯碱工业发展较快，目前，其产量已居世界第2位。虽然如此，我国的氯、碱产品还是不能满足国内市场的需求。我国的氯碱工业能不能再进一步发展呢?这要看氯与碱的平衡问题能不能得到解决了。目前烧碱的生产方法几乎全部采用电解食盐水的方法，这样，每生产0．88t氯气则联产1t烧碱，这一比例，目前是无法改变的。但问题是，市场对氯碱的需求比例并不是0．88：1，而是一个变数，也就是说，氯与碱的市场需求是不平衡的。有的时候氯是过剩的，有的时候碱是过剩的，无论氯与碱哪种过剩都会造成氯与碱的不平衡。氯与碱的不平衡还会影响环境，不管氯与碱哪一方过剩积存，都可能造成对环境的污染。所以，氯与碱的平衡是氯碱工业发展的关键，氯与碱的平衡问题得不到解决，我国的氯碱工业就很难再发展。氯气是多晶硅和石英玻璃联合制备法的重要原料，该制备法是消耗氯的。如果在氯过剩时，让该制备法与氯过剩的氯碱工业联手，就可以帮助解决氯与碱的平衡问题。氯与碱的平衡问题解决了，氯的积存就会减少，甚至为零，污染问题也就迎刃而解了。

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范围：本标准适用于拉制太阳能单晶用的石英玻璃坩埚的要求，检验规则及标志、包装、运输和贮存。术语和定义：下列术语和定义适用于本标准。裂纹坩埚表面能发现出来的裂纹或微细裂纹。划伤内表面能看见的划伤。附着物附着在坩埚表面上的任何物质。表面沾污内外表面的不干净膜、变色、喷溅、指纹等。杂质石英玻璃组成中二氧化硅(SiO2)以外的组分。凹坑坩埚内表面呈现的凹坑。崩边坩埚边沿的缺口或伤疤。气泡表面存在的开口泡或夹层里存在的气泡。气泡群坩埚壁厚内密集着2个以上的气泡,气泡间距不超过气泡直径的5倍。

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中国建筑材料研究总院教授级高工石新勇、陈璐、王睿、吴洁、孙云蓉等专家撰写的《我国工业玻璃与特种玻璃标准体系现状分析及展望》文章指出：我国石英玻璃标准现状，该领域共有29项标准，产品标准20项(国家标准1项)，方法标准9项(国家标准5项)，另有4项新产品标准列入2008年行业标准制订计划。2008年是石英玻璃标准复审的高峰期，有12项标准得到修订。随着我国经济的快速发展，一些玻璃新品种、新技术已经形成和正在进行产业化，资源再生利用、节约能源、保护环境方面的产品日新月异，我国已开始对低温喷涂玻璃、无铅封接玻璃、防微波辐射玻璃、电磁屏蔽玻璃等产品进行科研研究和应用推广，计划根据进展情况，尽快将成熟的产品纳入标准。新产品的纳标，能够优化我国工业玻璃与特种玻璃品种结构。石英玻璃器件有三大类：第一类是石英玻璃仪器，有分馏提纯塔、纯水蒸馏塔、半导体工业用扩散管、试剂提纯设备、蒸发器等;第二类是石英玻璃器皿容器。品种和规格有几百种，用途很广，从化验室到半导体集成电路生产都要大量使用。第三类是石英玻璃型材，有板、片、法兰、棒、棍、杆等，主要用于大型芯片加工的单片机石英材料、光刻基片、光电显示器板、光纤拉丝用支撑杆等。石英玻璃器件产品占石英玻璃工业总产值的1/3以上。近年来石英玻璃行业在生产工艺技术装备，质量都有极大的提高。在石英玻璃器件加工方面有突出进步，在发展太阳能电池用石英器件方面有突破性进展，受到国内生产太阳能电池的大型企业、公司等先进企业确认，生产的石英器件完全满足要求，产品质量已达到国际先进水平。从相关产业的发展来看，我国石英玻璃仍将保持年平均15％～20％的增长速度。信息产业用石英玻璃的增长速度仍大于电光源用石英玻璃。

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熔凝石英可以耐受绝大部分液体（金属，溶液和酸）。氢氟酸和磷酸可以腐蚀熔凝石英。石英玻璃可以和碱金属和碱土金属反应，因为在升温阶段，碱金属和间土金属可以促进失透石英玻璃是由非常纯的二氧化硅组成的。这个链上的其他元素成为杂质。虽然这些杂质成分所占的百分比非常低，但是这些杂质对石英玻璃产生重要的影响。纯度是由所使用的原料决定的。污染物的产生主要来源于生产方式，处理过程。生产过程每一个阶段都应该预防污染，这样才能确保纯度。*普遍的杂质是金属，如：铝 钠 铁 和其他，水，氯这些杂质元素主要在玻璃网格内，并且影响粘性光谱吸收电特性。他们也会影响原料的特征。

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石英玻璃是二氧化硅单一成分的非晶态材料，其微观结构是一种由二氧化硅四面结构体结构单元组成的单纯网络，由于Si-O化学键能很大，结构很紧密，所以石英玻璃具有独特的性能，尤其透明石英玻璃的光学性能非常优异，在紫外到红外辐射的连续波长范围都有优良的透射比。石英玻璃采用高纯度的硅砂作为原料，制作的传统方法是熔融-淬灭方法（加热材料到熔化温度，然后快速冷却到玻璃的固态相）；制作高纯度和紫外透射比的透明玻璃需硅的汽化、氧化成二氧化硅并加热溶解等过程。石英玻璃的形成是由于其熔体高温黏度很高引起的结果。用于制作半导体、电光源器、半导通信装置、激光器，光学仪器，实验室仪器、电学设备、医疗设备和耐高温耐腐蚀的化学仪器、化工、电子、冶金、建材以及国防等工业，应用十分广泛。高纯石英玻璃可制光导纤维。随着半导体技术的发展，石英玻璃被广泛的用于半导体生产的各项工序中。比如，直拉法把多晶转化成单晶硅；清洗时用的清洗槽；扩散时用的扩散管、刻槽舟；离子注入时用的钟罩等等。

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目前传统的石英制备方法有电熔法、气炼法、直接合成法、间接合成法、等离子化学气相沉积和溶胶凝胶法等。其中电熔和气炼方法是指使用天然结晶石英（水晶或者纯的硅石）经过熔融制成石英；而剩余四种均为合成法，是通过硅化物（SiCl4）经过化学气相沉积制成石英。石英因制备方法的不同，在SiO2纯度、羟基含量等指标上表现不同，从而导致不同的材料特性。电熔法即是石英原料在真空（5×10－2mmHg）或低压惰性（N2）介质中电熔。气炼法是采用氢氧焰或其它碳氢化物（乙炔）等可燃气体产生高热来熔化物料。由于是水解过程制备，石英含有较多的水分，羟基（OH-）大约为500-1500ppm，并含有溶解在玻璃结构中的H2。因为羟基的存在，玻璃的耐热性变差，且对红外区域吸收能力较强，该类玻璃不适合应用于半导体的热处理器材以及光纤。但是由于羟基的存在，玻璃的紫外光透过率高，且能长时间的接受紫外激光的照射，所以适用于做光刻掩膜版的基板和激光光刻系统内的光学透镜。间接合成使用的原料也是SiCl4，H2和O2气体，但该方法先让SiO2微粒堆积成棒，所得的棒为多孔质且不透明结构，经烧结后可制成透明的玻璃棒。等离子法也是合成不含-OH的石英的方法之一。利用由高频电磁场的感应耦合作用而产生等离子体灯炬，内核温度高达15000K，熔料被融化。