盐城市耐高温紫外线石英消毒灯厂家

1 主题内容与适用范围：本标准规定了石英管耐内压力检验的试样、仪器、步骤和结果评定。本标准适用于石英管的耐内压力检验。2 术语：2．1耐内压力：石英管内所承受的液压压力。2．2升压速度：单位时间内压力的增加值。3 试验原理：在石英管内施加液压压力，根据所施液压的数值，得出大口径石英管的耐内压力。4 试样要求：4．1待测试样的外径不大于30mm，长度不大于1000mm。4．2待测石英管的两端应无裂纹、无崩落，并使管子端面与管轴垂直。

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多晶硅和石英玻璃的联合制备法生产可以省掉一些设备，从而可以节约投资，并可减轻操作人员的劳动强度。采用传统的单项生产法生产多晶硅，需要有一台四氯化硅合成炉和一套四氯化硅提纯系统。采用传统的单项生产法生产石英玻璃，同样需要有一台四氯化硅合成炉和一套四氯化硅提纯系统。如果采用多晶硅和石英玻璃的联合制备法生产四氯化硅和多晶硅，上述设备是合一的，从设备数量上看，多晶硅和石英玻璃的联合制备法比传统的单项生产法减少一半。只是设备要大一些，但单个设备的投资增加不会太多。比如四氯化硅合成炉，它的直径加大一倍，它的产量就可以增加四倍。四氯化硅提纯系统里的设备也同样，尺寸增加一点，产量就会增加很多。采用传统的单项生产法生产多晶硅和采用传统的单项生产法生产石英玻璃都同样需要有一套由冷冻除湿、除氧、干燥组成的氢气净化系统和一个鼓泡器。如果采用多晶硅和石英玻璃的联合制备法生产，这些设备也是合一的。采用多晶硅和石英玻璃的联合制备法生产比单项生产法节省多的地方还不在于此。采用多晶硅和石英玻璃的联合制备法生产比单项生产法节省多的地方还不在于此。采用传统的单项生产法生产多晶硅，需要一套由冷冻分离器和氢气回收系统组成的回收系统，而采用多晶硅和石英玻璃的联合制备法生产就不需要这套回收系统。这套系统是由科技含量高、造价高的成套设备组成的。我们知道，家用的冰箱的低温只有摄氏零下十几度，一般的冷库的低温也只有摄氏零下三十几度，可这套系统所用的冷冻温度要到摄氏零下八十几度，甚至更低；家用的冰箱只是单级压缩，要求深冷的冷库也只有双级压缩，而这套系统所用的冷冻机是复叠式的，是在双级之上再加了一级压缩的，而且组合方式也是特别的。据估算，这套系统所需的费用应占总设备费用的三分之一左右。就此一项，采用多晶硅和石英玻璃的联合制备法生产就可节省设备费三分之一左右。很显然，设备少，不仅可以节约投资，而且还减轻了操作人员的劳动强度。

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石英玻璃*早起源于国外，至今已有一百六十多年的历史，1839 年法国人首先用氢氧燃烧火焰熔化石英矿石制造石英制品，1902 年英国人用石墨棒通电获得高温制造石英制品，但直到二十世纪 50 年代，随着半导体技术和石英电光源产品（石英管为其泡壳材料）的发展，石英玻璃材料及制品行业才迅速发展起来。我国石英制品工业起步较晚，基础薄弱，产品主要作为工业用基础性材料，然而近年来由于电子信息等高科技行业对石英材料的高度需求，石英玻璃材料及制品行业也迎来了新的发展空间和机遇。伴随着国外先进技术及设备的引进以及自主研发，我国石英玻璃材料及制品行业在石英制品工艺、设备制造方面均得到大幅提升，正逐渐从能源和劳动密集型行业向技术密集型、资金密集型方向转变。但与西方发达国家同行相比，仍处于技术发展实力整体薄弱，具有*强发展潜力阶段。近年来，受到下游光源、光伏、光纤半导体（电子信息）等三大应用领域快速发展需求的拉动，行业进步态势明显。

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石英玻璃主要用于电光源，半导体，光学新技术等方面。新型光源方面：做高压水银灯、长弧氙灯、碘钨灯、碘化铊灯、红外线灯和杀菌灯等。半导体方面：是半导体材料和器件生产过程中不可缺少的材料，如生长锗，硅单晶的坩埚、舟皿炉芯管和钟罩等。在新技术领域中：用其声、光、电学的上佳性能、做雷达上的超声延迟线，红外跟踪测向，红外照相、通迅、摄谱仪、分光光度计的棱镜，透镜、大型天文望远镜的反射窗，高温作业窗、反应堆、放射性装置；火箭，导弹的鼻锥体，喷嘴和天线罩：人造卫星的无线电绝缘零件，辐射；热天秤，真空吸附装置，精*密铸造等。石英玻璃还用于：化工、冶金、电工、科研等方面在化工方面：可做高温耐酸性气体的燃烧、冷却的和通风装置，酸性溶液的蒸发，冷却吸物收，贮存装置,蒸馏水,盐酸、硝酸、硫酸等的制备和其它物理化学实验用品。在高温业作方面：可做光学玻璃的，坩埚成萤光体客气，电炉炉芯管，气体燃烧辐射体，在光学方面：石英玻璃和石英玻璃棉可作火箭的喷咀，宇宙飞船防热罩和观察窗等，总之，随着现代科学技术的发展，石英玻璃在各个领域方面得到更加广泛的应用。

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多晶硅和石英玻璃的联合制备法的热能是被充分利用的，其生产过程没有反复升降温的现象，因此可以节能，而且节能的数字是相当可观的。采用传统的单项生产法生产多晶硅，还原料从鼓泡器里出来后被送进还原炉。在炉内还原料被加热到1150～1250℃，发生了氢还原反应，生成多晶硅。采用这种生产法，进入还原炉的还原料只有少数(一般认为10％～20％)参加反应，生成了多晶硅，绝大多数被当作尾气排放了。初，这些尾气被当成废气放掉，造成极大的浪费。为避免浪费，人们把尾气中的氢气和四氯化硅回收，经净化提纯后再利用。这样一来，出来的高温料，进入由冷冻分离器和氢气回收组成的回收系统回收。在回收系统里，还原料被冷冻降温至四氯化硅的沸点(57．6。C)之下，一般认为应在40～38℃为好。如按还原料在还原炉里的低限温度1150℃，降温后的上限温度40。C计算，也要降温1100℃。问题是，回收后4()℃的常温还原料要重新被送入鼓泡器里，然后通进还原炉，再次被加热到11501250。C的高温。从上述工艺中可以看出，进入还原炉被加热的大部分还原料(占进炉料9()％)没有被利用就被送出降温，而且降温后又被重新送入还原炉成为参加新一轮反应的还原料。很明显，这是一种浪费，没有参加反应的还原料按理说应该不加热。可问题是，在还原炉里，没有参加反应的还原料与参加反应的还原料是混在一起的，根本无法分开，如果没有参加反应的还原料不加热，那么，参加反应的还原料也无法加热。我们知道，参加反应的还原料温度低是无法进行化学反应的，也就无法生产出多晶硅。所以，如果采用传统的单项生产法生产多晶硅的话，上述浪费是不可避免的。