南京市定制石英杀菌灯定做

石英玻璃是二氧化硅单一成分的非晶态材料，其微观结构是一种由二氧化硅四面结构体结构单元组成的单纯网络，由于Si-O化学键能很大，结构很紧密，所以石英玻璃具有独特的性能，尤其透明石英玻璃的光学性能非常优异，在紫外到红外辐射的连续波长范围都有优良的透射比。石英玻璃采用高纯度的硅砂作为原料，制作的传统方法是熔融-淬灭方法（加热材料到熔化温度，然后快速冷却到玻璃的固态相）；制作高纯度和紫外透射比的透明玻璃需硅的汽化、氧化成二氧化硅并加热溶解等过程。石英玻璃的形成是由于其熔体高温黏度很高引起的结果。用于制作半导体、电光源器、半导通信装置、激光器，光学仪器，实验室仪器、电学设备、医疗设备和耐高温耐腐蚀的化学仪器、化工、电子、冶金、建材以及国防等工业，应用十分广泛。高纯石英玻璃可制光导纤维。随着半导体技术的发展，石英玻璃被广泛的用于半导体生产的各项工序中。比如，直拉法把多晶转化成单晶硅；清洗时用的清洗槽；扩散时用的扩散管、刻槽舟；离子注入时用的钟罩等等。

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目前传统的石英制备方法有电熔法、气炼法、直接合成法、间接合成法、等离子化学气相沉积和溶胶凝胶法等。其中电熔和气炼方法是指使用天然结晶石英（水晶或者纯的硅石）经过熔融制成石英；而剩余四种均为合成法，是通过硅化物（SiCl4）经过化学气相沉积制成石英。石英因制备方法的不同，在SiO2纯度、羟基含量等指标上表现不同，从而导致不同的材料特性。电熔法即是石英原料在真空（5×10－2mmHg）或低压惰性（N2）介质中电熔。气炼法是采用氢氧焰或其它碳氢化物（乙炔）等可燃气体产生高热来熔化物料。由于是水解过程制备，石英含有较多的水分，羟基（OH-）大约为500-1500ppm，并含有溶解在玻璃结构中的H2。因为羟基的存在，玻璃的耐热性变差，且对红外区域吸收能力较强，该类玻璃不适合应用于半导体的热处理器材以及光纤。但是由于羟基的存在，玻璃的紫外光透过率高，且能长时间的接受紫外激光的照射，所以适用于做光刻掩膜版的基板和激光光刻系统内的光学透镜。间接合成使用的原料也是SiCl4，H2和O2气体，但该方法先让SiO2微粒堆积成棒，所得的棒为多孔质且不透明结构，经烧结后可制成透明的玻璃棒。等离子法也是合成不含-OH的石英的方法之一。利用由高频电磁场的感应耦合作用而产生等离子体灯炬，内核温度高达15000K，熔料被融化。

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二氧化硅(SiO)单晶体，又称水晶，有天然人造两种。石英晶体一种重要电子材料。沿一定方向切割石英晶片，当受到机械应力作用时将产生与应力成正比电场或电荷，这种现象称为正压电效应。反之，当石英晶片受到电场作用时将产生与电场成正比应变，这种现象称为逆压电效应。正、逆两种效应合称为压电效应。石英晶体不仅具有压电效应，而且还具有优良机械特性、电学特性温度特性。用它设计制作谐振器、振荡器滤波器等，稳频选频方面都有突出优点。1880年法国P.居里发现石英晶体压电效应。直到第一次世界大战期间，石英晶体压电效应才得到应用。由于天然石英资源短缺，人们研究用人工方法进行培育。1905年意大利学者用水热温差法制造出合成人造石英。1960年美国西方电气公司建立了第一个人造石英工厂，人造石英进入工业化生产阶段。现代用水热温差法培育人造石英，质量已可与天然石英媲美，能满足电子技术需要。大气压力下，石英熔点为1750[618-1]。573[618-1]以下时称石英，属于三方晶系32点群；573～870[618-1]之间时称石英,属六方晶系622点群。石英石英都具有压电效应，但现代广泛使用石英，它密度为2.65克／厘米，莫氏硬度为7。理想石英晶体外形见图。它有一个三次旋转对称轴,三个互成120°夹角二次旋转对称轴,三次轴与二次轴垂直。晶轴与三次轴平行，晶轴、[kg1]则分别与三个二次轴平行。[kg1]轴与轴重合，轴与轴重合。

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熔凝石英可以耐受绝大部分液体（金属，溶液和酸）。氢氟酸和磷酸可以腐蚀熔凝石英。石英玻璃可以和碱金属和碱土金属反应，因为在升温阶段，碱金属和间土金属可以促进失透石英玻璃是由非常纯的二氧化硅组成的。这个链上的其他元素成为杂质。虽然这些杂质成分所占的百分比非常低，但是这些杂质对石英玻璃产生重要的影响。纯度是由所使用的原料决定的。污染物的产生主要来源于生产方式，处理过程。生产过程每一个阶段都应该预防污染，这样才能确保纯度。*普遍的杂质是金属，如：铝 钠 铁 和其他，水，氯这些杂质元素主要在玻璃网格内，并且影响粘性光谱吸收电特性。他们也会影响原料的特征。

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多晶硅是电子工业的基础材料。由于采用传统的单项生产法生产多晶硅，需要付出资源和环境的极大代价。过大的代价制约了多晶硅的生产发展。目前，由于多晶硅短缺，迫使一些电子工业厂家减产，甚至停业。很显然，多晶硅已经成为当前电子工业发展的瓶颈，阻碍了电子工业的发展。采用多晶硅和石英玻璃的联合制备法生产多晶硅，代价会减少，从而促进多晶硅的发展，电子工业材料(多晶硅)的瓶颈问题也就因此得以解决。