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范围：本标准适用于拉制太阳能单晶用的石英玻璃坩埚的要求，检验规则及标志、包装、运输和贮存。术语和定义：下列术语和定义适用于本标准。裂纹坩埚表面能发现出来的裂纹或微细裂纹。划伤内表面能看见的划伤。附着物附着在坩埚表面上的任何物质。表面沾污内外表面的不干净膜、变色、喷溅、指纹等。杂质石英玻璃组成中二氧化硅(SiO2)以外的组分。凹坑坩埚内表面呈现的凹坑。崩边坩埚边沿的缺口或伤疤。气泡表面存在的开口泡或夹层里存在的气泡。气泡群坩埚壁厚内密集着2个以上的气泡,气泡间距不超过气泡直径的5倍。

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熔融石英和熔凝石英的纯度非常高，合成石英的金属含量小于1ppm。熔凝石英杂质接近20ppm，主要污染物组成AL2O3，少部分碱金属，Fe2O3 TiO2 mGo ZrO2金属杂质主要来自于天然石英，非常谨慎的控制加工过程，可以*大的降低杂质含量，从200ppm 到 20ppm铝是*多的杂质，取代硅原子，在石英玻璃里存在。在高温条件下，他具有很低的活性，导致在任何生产阶段都不可能去除。除了有金属杂质，熔融石英和熔凝石英也包含一些水分羟基，羟基进入石英的网格中会降低石英的粘性，因此价格低石英的耐温点。其他的物理特性也会受到影响，如光的透过率，红外波段形成吸收带每一种工艺的都有其典型的羟基含量电熔羟基值*低1-30ppm 因为在真空条件下榕湖或者在负气压条件下熔化。退火时，湿度也可以影响羟基含量气炼石英含有大量的羟基，因为气炼石英使用氢氧焰熔化合成石英是通过火焰水解化学物质羟基含量大于1000ppm降低合成石英的羟基可以通过高温氯化处理。

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多晶硅是电子工业的基础材料。由于采用传统的单项生产法生产多晶硅，需要付出资源和环境的极大代价。过大的代价制约了多晶硅的生产发展。目前，由于多晶硅短缺，迫使一些电子工业厂家减产，甚至停业。很显然，多晶硅已经成为当前电子工业发展的瓶颈，阻碍了电子工业的发展。采用多晶硅和石英玻璃的联合制备法生产多晶硅，代价会减少，从而促进多晶硅的发展，电子工业材料(多晶硅)的瓶颈问题也就因此得以解决。

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石英玻璃作为特殊新材料，广泛应用于光伏、电光源、半导体、光纤通讯、航空航天、光学镀膜等领域，需求量逐渐增*大，市场空间也在不断扩大。近些年，开发LED代替传统电源，对石英制品行业也是一个不小的冲击。国内石英厂家，开始将石英制品转向特种光源和高等光源，技术要求较低，也是一个发展的趋势，能够稳定低端石英制品的市场。光伏产业中石英主要作为工艺耗材，如石英坩埚、法兰等，由于技术含量较低，在国内有较大的市场。国家能源局的规划直到2020年光伏发电指标为86.5GW，这些都将会拉动石英行业的发展。