深圳市耐高温紫外线石英消毒灯定做

石英玻璃的机械性能比硬质玻璃和陶瓷都好，唯脆性较差。石英玻璃的理论计算强度很高，约为24×103MPa，但实际测得的强度要比这个数值低数十倍。影响强度的主要因素首先是玻璃的表面缺陷，特别是表面微裂纹的大小及深度影响*为明显，细磨的石英玻璃试样比粗磨的试样，其抗折强度约增加0.6倍；其次是内在缺陷，例如，气泡、杂质、熔化不均以及残余应力等。石英玻璃的强度随着温度的升高而增加，接近退火温度时达到*大值。石英玻璃的剪切模量、杨氏模量、阻尼、泊松比、破坏模量一般均随着温度的升高而增加，硬度则随着温度的升高而降低。

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目前传统的石英制备方法有电熔法、气炼法、直接合成法、间接合成法、等离子化学气相沉积和溶胶凝胶法等。其中电熔和气炼方法是指使用天然结晶石英（水晶或者纯的硅石）经过熔融制成石英；而剩余四种均为合成法，是通过硅化物（SiCl4）经过化学气相沉积制成石英。石英因制备方法的不同，在SiO2纯度、羟基含量等指标上表现不同，从而导致不同的材料特性。电熔法即是石英原料在真空（5×10－2mmHg）或低压惰性（N2）介质中电熔。气炼法是采用氢氧焰或其它碳氢化物（乙炔）等可燃气体产生高热来熔化物料。由于是水解过程制备，石英含有较多的水分，羟基（OH-）大约为500-1500ppm，并含有溶解在玻璃结构中的H2。因为羟基的存在，玻璃的耐热性变差，且对红外区域吸收能力较强，该类玻璃不适合应用于半导体的热处理器材以及光纤。但是由于羟基的存在，玻璃的紫外光透过率高，且能长时间的接受紫外激光的照射，所以适用于做光刻掩膜版的基板和激光光刻系统内的光学透镜。间接合成使用的原料也是SiCl4，H2和O2气体，但该方法先让SiO2微粒堆积成棒，所得的棒为多孔质且不透明结构，经烧结后可制成透明的玻璃棒。等离子法也是合成不含-OH的石英的方法之一。利用由高频电磁场的感应耦合作用而产生等离子体灯炬，内核温度高达15000K，熔料被融化。

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多晶硅是电子工业的基础材料。由于采用传统的单项生产法生产多晶硅，需要付出资源和环境的极大代价。过大的代价制约了多晶硅的生产发展。目前，由于多晶硅短缺，迫使一些电子工业厂家减产，甚至停业。很显然，多晶硅已经成为当前电子工业发展的瓶颈，阻碍了电子工业的发展。采用多晶硅和石英玻璃的联合制备法生产多晶硅，代价会减少，从而促进多晶硅的发展，电子工业材料(多晶硅)的瓶颈问题也就因此得以解决。

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石英棒大多是在实验室中使用，用来对液体的搅拌既不损伤到我们的手也不损伤试验液体本身，因此被使用的较多，而玻璃棒依据材质的不同也可以分成很多种，石英玻璃棒便是其中一种，石英棒有以下作用：1、使热量均匀散开2、对液体和固体的转移3、在过滤等情况下转移液体的导流4、用于溶解、蒸发等情况下的搅拌5、引发反应，如引燃红磷；石英玻璃棒注意事项：1、搅拌时要以一个方向搅拌（顺时针、逆时针都可以）。2、搅拌时不要太用力，以免玻璃棒或容器（如烧杯等）破裂。3、搅拌不要碰撞容器壁、容器底，不要发出响声。

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范围：本标准适用于拉制太阳能单晶用的石英玻璃坩埚的要求，检验规则及标志、包装、运输和贮存。术语和定义：下列术语和定义适用于本标准。裂纹坩埚表面能发现出来的裂纹或微细裂纹。划伤内表面能看见的划伤。附着物附着在坩埚表面上的任何物质。表面沾污内外表面的不干净膜、变色、喷溅、指纹等。杂质石英玻璃组成中二氧化硅(SiO2)以外的组分。凹坑坩埚内表面呈现的凹坑。崩边坩埚边沿的缺口或伤疤。气泡表面存在的开口泡或夹层里存在的气泡。气泡群坩埚壁厚内密集着2个以上的气泡,气泡间距不超过气泡直径的5倍。

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石英玻璃是二氧化硅单一成分的非晶态材料，其微观结构是一种由二氧化硅四面结构体结构单元组成的单纯网络，由于Si-O化学键能很大，结构很紧密，所以石英玻璃具有独特的性能，尤其透明石英玻璃的光学性能非常优异，在紫外到红外辐射的连续波长范围都有优良的透射比。石英玻璃采用高纯度的硅砂作为原料，制作的传统方法是熔融-淬灭方法（加热材料到熔化温度，然后快速冷却到玻璃的固态相）；制作高纯度和紫外透射比的透明玻璃需硅的汽化、氧化成二氧化硅并加热溶解等过程。石英玻璃的形成是由于其熔体高温黏度很高引起的结果。用于制作半导体、电光源器、半导通信装置、激光器，光学仪器，实验室仪器、电学设备、医疗设备和耐高温耐腐蚀的化学仪器、化工、电子、冶金、建材以及国防等工业，应用十分广泛。高纯石英玻璃可制光导纤维。随着半导体技术的发展，石英玻璃被广泛的用于半导体生产的各项工序中。比如，直拉法把多晶转化成单晶硅；清洗时用的清洗槽；扩散时用的扩散管、刻槽舟；离子注入时用的钟罩等等。