深圳市透明紫外线臭氧杀菌灯管厂家

石英管基础的原料是石英玻璃，据了解，石英玻璃是二氧化硅单一成份的玻璃，通常分为透明石英玻璃和不透明石英玻璃（熔融石英）两大类。透明石英玻璃只有*少量气泡，有相当高的光学均匀性和透明度，由水晶或四氯化硅为原料，经高温熔制而成。石英玻璃的机械性能比硬质玻璃和陶瓷都好，直径不大的石英管及石英玻璃设备可耐很大的压力，石英玻璃制品中如有宏观缺陷，如气泡、外来杂物、熔化不均匀及存在的残余应力，都会影响其强度，使其降低。石英管主要是用于实验、观察、测量等，通常也可以用于特定用途的装置和机器。因为石英仪器通常用于科学研究和技术测量，所以需要有更加严格的生产技术，加上一起结构复杂，属于高新技术产品，所以在工业方面应用较多。另外石英仪器种类较多，根据形状、大小不同可以分为很多种。石英制品容易碎，所以在选择时要轻拿轻放，防止因为碰触导致破碎，虽然它的耐热性好，但是和其他物质一起使用需要考虑它的膨胀系数，否则就会破损。使用完毕之后要去离子水进行清洗，清洗之后严禁用手接触，否则就会失去石英仪器的高纯度性，影响其使用寿命。

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目前传统的石英制备方法有电熔法、气炼法、直接合成法、间接合成法、等离子化学气相沉积和溶胶凝胶法等。其中电熔和气炼方法是指使用天然结晶石英（水晶或者纯的硅石）经过熔融制成石英；而剩余四种均为合成法，是通过硅化物（SiCl4）经过化学气相沉积制成石英。石英因制备方法的不同，在SiO2纯度、羟基含量等指标上表现不同，从而导致不同的材料特性。电熔法即是石英原料在真空（5×10－2mmHg）或低压惰性（N2）介质中电熔。气炼法是采用氢氧焰或其它碳氢化物（乙炔）等可燃气体产生高热来熔化物料。由于是水解过程制备，石英含有较多的水分，羟基（OH-）大约为500-1500ppm，并含有溶解在玻璃结构中的H2。因为羟基的存在，玻璃的耐热性变差，且对红外区域吸收能力较强，该类玻璃不适合应用于半导体的热处理器材以及光纤。但是由于羟基的存在，玻璃的紫外光透过率高，且能长时间的接受紫外激光的照射，所以适用于做光刻掩膜版的基板和激光光刻系统内的光学透镜。间接合成使用的原料也是SiCl4，H2和O2气体，但该方法先让SiO2微粒堆积成棒，所得的棒为多孔质且不透明结构，经烧结后可制成透明的玻璃棒。等离子法也是合成不含-OH的石英的方法之一。利用由高频电磁场的感应耦合作用而产生等离子体灯炬，内核温度高达15000K，熔料被融化。

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目前石英玻璃需求量*大的是半导体行业和光纤通讯产业。国内光纤行业用石英制品主要作为石英辅助材料，如光纤预制棒，把持棒，手柄等，这些产品相对偏中低端，价格相对也偏低。国内制作能满足内需，然而像基管、套管等高*端石英制品的年产量还是很低，仍需要大量进口。整个光纤行业快速发展、技术越来越成熟，光纤预制棒的国产化比例逐步提高。依据这个趋势和国家政府的扶持，光纤行业的发展还会更上一层楼，石英制品也会紧跟着其在技术和质量上的发展得到进一步的提升。

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失透（又叫析晶性）是石英玻璃的一个固有缺陷，从热力学观点看，石英玻璃的内能高于结晶态方石英，属热力学上不稳定的亚稳态，当温度高于1000℃时，SiO2 分子振动加速，经一段较长时间的重新排列、定向便形成结晶。失透性是以晶核成长速度来表示的，不透明石英玻璃在1520℃、透明石英玻璃在1620℃析晶速度分别达到*大值。析晶主要出现在表面，其次是内部缺陷处，原因是这些地方容易沾污，引起杂质离子的局部集聚，特别是碱离子（如K、Na、Li、Ca、Mg等）进入网络后引起粘度降低，促使失透加速。由于石英玻璃的热膨胀系数和比重同析晶产物β-方石英相近，所以在高温下连续使用时，尽管析晶区不断扩大，但体积变化并不明显，仍可满意地继续使用，此时尚可减轻玻璃的塑性变形，使耐火度提高。当析晶产物冷却到800℃时，则出现细小的龟裂网络。继续冷却到200-275℃时，则出现方石英从高温型到低温型（即β-方石英→a-方石英）的结构变化，并伴随着发生体积聚变，如果析晶层很深，则石英玻璃亦随之破裂。由于析晶常常出现在有杂质的地方，所以高温使用前的表面状态及周围耐火材料、气氛十分重要。石英玻璃属酸性材料，除氢氟酸和热磷酸外，对其它任何酸均表现为惰性，是*好的耐酸材料。在常温下碱和盐对石英玻璃的腐蚀程度也是*微的，因此不排除在这些试剂中使用石英玻璃。透明石英玻璃比不透明石英玻璃具有更好的化学稳定性，这是因为后者由于气泡的存在暴露在腐蚀液中的表面积增加所致。石英玻璃不吸湿，不风化。石英玻璃对所有碱和碱土化合物都非常敏感，这些化合物*轻微的痕量也会促使石英玻璃在高温下产生析晶。

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多晶硅和石英玻璃的联合制备法的热能是被充分利用的，其生产过程没有反复升降温的现象，因此可以节能，而且节能的数字是相当可观的。采用传统的单项生产法生产多晶硅，还原料从鼓泡器里出来后被送进还原炉。在炉内还原料被加热到1150～1250℃，发生了氢还原反应，生成多晶硅。采用这种生产法，进入还原炉的还原料只有少数(一般认为10％～20％)参加反应，生成了多晶硅，绝大多数被当作尾气排放了。初，这些尾气被当成废气放掉，造成极大的浪费。为避免浪费，人们把尾气中的氢气和四氯化硅回收，经净化提纯后再利用。这样一来，出来的高温料，进入由冷冻分离器和氢气回收组成的回收系统回收。在回收系统里，还原料被冷冻降温至四氯化硅的沸点(57．6。C)之下，一般认为应在40～38℃为好。如按还原料在还原炉里的低限温度1150℃，降温后的上限温度40。C计算，也要降温1100℃。问题是，回收后4()℃的常温还原料要重新被送入鼓泡器里，然后通进还原炉，再次被加热到11501250。C的高温。从上述工艺中可以看出，进入还原炉被加热的大部分还原料(占进炉料9()％)没有被利用就被送出降温，而且降温后又被重新送入还原炉成为参加新一轮反应的还原料。很明显，这是一种浪费，没有参加反应的还原料按理说应该不加热。可问题是，在还原炉里，没有参加反应的还原料与参加反应的还原料是混在一起的，根本无法分开，如果没有参加反应的还原料不加热，那么，参加反应的还原料也无法加热。我们知道，参加反应的还原料温度低是无法进行化学反应的，也就无法生产出多晶硅。所以，如果采用传统的单项生产法生产多晶硅的话，上述浪费是不可避免的。