泰州市透明紫外线石英杀菌灯厂家

目前传统的石英制备方法有电熔法、气炼法、直接合成法、间接合成法、等离子化学气相沉积和溶胶凝胶法等。其中电熔和气炼方法是指使用天然结晶石英（水晶或者纯的硅石）经过熔融制成石英；而剩余四种均为合成法，是通过硅化物（SiCl4）经过化学气相沉积制成石英。石英因制备方法的不同，在SiO2纯度、羟基含量等指标上表现不同，从而导致不同的材料特性。电熔法即是石英原料在真空（5×10－2mmHg）或低压惰性（N2）介质中电熔。气炼法是采用氢氧焰或其它碳氢化物（乙炔）等可燃气体产生高热来熔化物料。由于是水解过程制备，石英含有较多的水分，羟基（OH-）大约为500-1500ppm，并含有溶解在玻璃结构中的H2。因为羟基的存在，玻璃的耐热性变差，且对红外区域吸收能力较强，该类玻璃不适合应用于半导体的热处理器材以及光纤。但是由于羟基的存在，玻璃的紫外光透过率高，且能长时间的接受紫外激光的照射，所以适用于做光刻掩膜版的基板和激光光刻系统内的光学透镜。间接合成使用的原料也是SiCl4，H2和O2气体，但该方法先让SiO2微粒堆积成棒，所得的棒为多孔质且不透明结构，经烧结后可制成透明的玻璃棒。等离子法也是合成不含-OH的石英的方法之一。利用由高频电磁场的感应耦合作用而产生等离子体灯炬，内核温度高达15000K，熔料被融化。

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石英玻璃作为特殊新材料，广泛应用于光伏、电光源、半导体、光纤通讯、航空航天、光学镀膜等领域，需求量逐渐增*大，市场空间也在不断扩大。近些年，开发LED代替传统电源，对石英制品行业也是一个不小的冲击。国内石英厂家，开始将石英制品转向特种光源和高等光源，技术要求较低，也是一个发展的趋势，能够稳定低端石英制品的市场。光伏产业中石英主要作为工艺耗材，如石英坩埚、法兰等，由于技术含量较低，在国内有较大的市场。国家能源局的规划直到2020年光伏发电指标为86.5GW，这些都将会拉动石英行业的发展。

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目前石英玻璃需求量*大的是半导体行业和光纤通讯产业。国内光纤行业用石英制品主要作为石英辅助材料，如光纤预制棒，把持棒，手柄等，这些产品相对偏中低端，价格相对也偏低。国内制作能满足内需，然而像基管、套管等高*端石英制品的年产量还是很低，仍需要大量进口。整个光纤行业快速发展、技术越来越成熟，光纤预制棒的国产化比例逐步提高。依据这个趋势和国家政府的扶持，光纤行业的发展还会更上一层楼，石英制品也会紧跟着其在技术和质量上的发展得到进一步的提升。

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石英玻璃是二氧化硅单一成分的非晶态材料，其微观结构是一种由二氧化硅四面结构体结构单元组成的单纯网络，由于Si-O化学键能很大，结构很紧密，所以石英玻璃具有独特的性能，尤其透明石英玻璃的光学性能非常优异，在紫外到红外辐射的连续波长范围都有优良的透射比。石英玻璃采用高纯度的硅砂作为原料，制作的传统方法是熔融-淬灭方法（加热材料到熔化温度，然后快速冷却到玻璃的固态相）；制作高纯度和紫外透射比的透明玻璃需硅的汽化、氧化成二氧化硅并加热溶解等过程。石英玻璃的形成是由于其熔体高温黏度很高引起的结果。用于制作半导体、电光源器、半导通信装置、激光器，光学仪器，实验室仪器、电学设备、医疗设备和耐高温耐腐蚀的化学仪器、化工、电子、冶金、建材以及国防等工业，应用十分广泛。高纯石英玻璃可制光导纤维。随着半导体技术的发展，石英玻璃被广泛的用于半导体生产的各项工序中。比如，直拉法把多晶转化成单晶硅；清洗时用的清洗槽；扩散时用的扩散管、刻槽舟；离子注入时用的钟罩等等。

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(1)检测石英管的阻值：石英管可以通过万用表检测其阻值，将万用表挡位调至“蜂鸣挡”，将红黑表笔分别搭在石英管的两端，此时万用表的蜂鸣器应当发出响声，并且指针应当指向零。若检测时，万用表蜂鸣器无声音发出，并且指针指向无穷大时，说明石英管的内部发生损坏。(2)检测石英管的供电电压：检测石英管的供电电压时，首先将万用表的量程调至“交流250V”电压挡，红黑表笔分别搭在石英管的供电端。此时观察万用表的读数，若在交流220V左右，则说明石英管的供电电压正常。

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多晶硅和石英玻璃的联合制备法的热能是被充分利用的，其生产过程没有反复升降温的现象，因此可以节能，而且节能的数字是相当可观的。采用传统的单项生产法生产多晶硅，还原料从鼓泡器里出来后被送进还原炉。在炉内还原料被加热到1150～1250℃，发生了氢还原反应，生成多晶硅。采用这种生产法，进入还原炉的还原料只有少数(一般认为10％～20％)参加反应，生成了多晶硅，绝大多数被当作尾气排放了。初，这些尾气被当成废气放掉，造成极大的浪费。为避免浪费，人们把尾气中的氢气和四氯化硅回收，经净化提纯后再利用。这样一来，出来的高温料，进入由冷冻分离器和氢气回收组成的回收系统回收。在回收系统里，还原料被冷冻降温至四氯化硅的沸点(57．6。C)之下，一般认为应在40～38℃为好。如按还原料在还原炉里的低限温度1150℃，降温后的上限温度40。C计算，也要降温1100℃。问题是，回收后4()℃的常温还原料要重新被送入鼓泡器里，然后通进还原炉，再次被加热到11501250。C的高温。从上述工艺中可以看出，进入还原炉被加热的大部分还原料(占进炉料9()％)没有被利用就被送出降温，而且降温后又被重新送入还原炉成为参加新一轮反应的还原料。很明显，这是一种浪费，没有参加反应的还原料按理说应该不加热。可问题是，在还原炉里，没有参加反应的还原料与参加反应的还原料是混在一起的，根本无法分开，如果没有参加反应的还原料不加热，那么，参加反应的还原料也无法加热。我们知道，参加反应的还原料温度低是无法进行化学反应的，也就无法生产出多晶硅。所以，如果采用传统的单项生产法生产多晶硅的话，上述浪费是不可避免的。